为什么半导体技术的限制为7nm,但它现在已经破裂了吗?
来源:365bet吧 作者:365bet线上足球 时间:2019-09-04 点击:

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7nm是物理限制,而不是工艺限制。
制造小于7nm的器件并不困难,使用ebeamlith是一个大问题。
然而,Si晶体管小于7nm并且具有很少的原子层。隧道引起的泄漏问题不容忽视,无法使用。
芯片中内置了太多晶体管。晶体管门控制电流是否可以从源极流到漏极。晶体管的源极和漏极基于硅连接。
随着晶体管尺寸逐渐减小,源极和漏极之间的沟道也缩短,并且当沟道缩短到一定程度时,量子隧道效应变得更容易。
晶体管失去了开关的作用,逻辑电路不再存在。
2016年,一些媒体在互联网上发表文章称:“在现有硅材料芯片的情况下,晶体管门长度小于7纳米,晶体管中的电子容易发生量子隧道效应。”我做到了。这对芯片制造商来说是一个重大挑战。“
因此,7nm工艺很可能并且不一定是硅芯片工艺的物理极限。
目前,半导体行业肯定优先考虑改变结构,但理论上不可能超过半导体的60mV / decade限制。
真正的下一代半导体肯定具有与当前半导体完全不同的工作原理。无论是TFET,MIFET还是其他,它绝对取代了目前的半导体原理。
扩展数据和问题的困难半导体制冷技术的困难许多参数都涉及半导体制冷过程。所有参数都会影响冷却效果。
实验室研究需要调查实验室环境,因为它很难满足特定的噪音。
半导体制冷技术是一种基于粒子的可逆技术。
因此,在应用制冷技术的过程中,在热端和冷端之间存在大的温差,并且不可避免地发生冷却效果。
首先,根据需要不能进一步改善半导体材料的品质因数。这不可避免地影响半导体冷却技术的应用。
其次,冷端和热端散热系统的优化设计仍处于理论阶段,在应用中没有起到更好的作用。半导体制冷技术无法根据应用需求进行改进。
第三,半导体冷却技术在其他领域和相关领域具有局限性。因此,很少使用半导体冷却技术。从应用角度来看,半导体制冷技术研究在技术上是不可扩展的。
第四,在市场经济环境中,科学技术的发展,待开发的半导体制冷技术必须考虑各种问题。
重点将放在半导体制冷技术的应用上,但也将考虑几个因素使这项技术更好地运作。




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